FM22L16當(dāng)選為數(shù)字集成電路和數(shù)字邏輯元件類的領(lǐng)先產(chǎn)品

    全球領(lǐng)先的非易失性鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品的開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron，今天宣布獲得著名雜志《電子設(shè)計(jì)技術(shù)》領(lǐng)先產(chǎn)品的創(chuàng)新獎(jiǎng)。Ramtron的FM22L16，作為半導(dǎo)體行業(yè)第一個(gè)4兆位非易失性F-RAM存儲(chǔ)器，被《電子設(shè)計(jì)技術(shù)》雜志的專家組及數(shù)千名讀者選為數(shù)字集成電路和數(shù)字邏輯元件類的領(lǐng)先產(chǎn)品。
   Ramtron獲得《電子設(shè)計(jì)技術(shù)》享有盛譽(yù)的業(yè)界認(rèn)可。4Mb F-RAM已經(jīng)突破了新的技術(shù)范圍，并帶領(lǐng)Ramtron和F-RAM進(jìn)入嶄新及創(chuàng)新的應(yīng)用領(lǐng)域。設(shè)計(jì)工程師們，通過對(duì)FM22L16的投票，認(rèn)可了這項(xiàng)科技成果。
   FM22L16是最高密度的F-RAM產(chǎn)品，到目前為止具有四重的F-RAM存儲(chǔ)能力。FM22L16采用44腳TSOP封裝的4 mb、3V并行非易失性FRAM，具有具有訪問速度快、無限次讀/寫和低功耗等特點(diǎn)，與異步靜態(tài)RAM(SRAM)管腳兼容，主要應(yīng)用于工業(yè)控制系統(tǒng)，如機(jī)器人技術(shù)，網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用，多功能打印機(jī)，汽車導(dǎo)航系統(tǒng)，以及大量的其他以SRAM為基礎(chǔ)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
   FM22L16是256K×16非易失性存儲(chǔ)器，采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)并行接口，存取時(shí)間為55ns，周期為110ns。它能以總線速度進(jìn)行無延遲讀寫操作，使用壽命超過100萬億次，數(shù)據(jù)保存能力超過10年。
   4Mb F-RAM是標(biāo)準(zhǔn)異步SRAM的直接替代產(chǎn)品，而且毋需電池進(jìn)行數(shù)據(jù)備份，從而顯著改進(jìn)結(jié)構(gòu)與系統(tǒng)可靠性。與電池支持的SRAM不同，F(xiàn)M22L16是真正的表面貼裝解決方案，不需要進(jìn)行電池附加的重寫入操作，且能防止潮濕、沖擊和振動(dòng)的危害。FM22L16具備能與當(dāng)前高性能微處理器相連的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)并行接口，兼具高速頁(yè)面模式，能夠?qū)崿F(xiàn)每秒80兆字節(jié)的峰值帶寬，是市場(chǎng)上速度最快的非易失性存儲(chǔ)器方案之一。
   FM22L16較標(biāo)準(zhǔn)SRAM具有更低的工作電流，讀/寫操作時(shí)為18mA，在超低電流睡眠模式下僅為5uA，在整個(gè)工業(yè)級(jí)溫度范圍內(nèi)(-40℃至+85℃)于2.7至3.6V下工作。
   FM22L16獲得領(lǐng)先產(chǎn)品獎(jiǎng)，將-RAM技術(shù)推上Ramtron與Texas Instruments共同發(fā)展的行之有效的主流過程。F-RAM，是一種理想的非易失性存儲(chǔ)器解決方案并將大有潛力改變存儲(chǔ)器的前景，尤其是新CMOS的前景，并將提供許多新的獨(dú)立和集成化的產(chǎn)品。